2027 ആകുമ്പോഴേക്കും SAMSUNG അതിന്റെ ചിപ്പ് ഫൗണ്ടറി ശേഷി മൂന്നിരട്ടിയാക്കാൻ പദ്ധതിയിടുന്നു

ഈ വർഷം ലോകത്ത് ആദ്യമായി GAA സാങ്കേതികവിദ്യയെ അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള 3-നാനോമീറ്റർ ചിപ്പ് സാംസങ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് വിജയകരമായി വൻതോതിൽ നിർമ്മിച്ചതായി കമ്പനിയുടെ ഫൗണ്ടറി ബിസിനസ് യൂണിറ്റിന്റെ ടെക്നോളജി ഡെവലപ്‌മെന്റ് വൈസ് പ്രസിഡന്റ് ജിയോങ് കി-ടേ പറഞ്ഞു. 5-നാനോമീറ്റർ ചിപ്പിനെ അപേക്ഷിച്ച് 45 ശതമാനം കുറഞ്ഞ വൈദ്യുതി ഉപഭോഗവും 23 ശതമാനം ഉയർന്ന പ്രകടനവും 16 ശതമാനം കുറഞ്ഞ വിസ്തീർണ്ണവുമുള്ള ഒരു ചിപ്പ് സാംസങ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് വിജയകരമായി നിർമ്മിച്ചു.

2027 ആകുമ്പോഴേക്കും ഉൽപ്പാദന ശേഷി മൂന്നിരട്ടിയിലധികം വർദ്ധിപ്പിക്കാൻ ലക്ഷ്യമിടുന്ന ചിപ്പ് ഫൗണ്ടറിയുടെ ഉൽപ്പാദന ശേഷി വികസിപ്പിക്കുന്നതിന് സാധ്യമായതെല്ലാം ചെയ്യാൻ സാംസങ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് പദ്ധതിയിടുന്നു. അതിനായി, ചിപ്പ് നിർമ്മാതാവ് ഒരു "ഷെൽ-ഫസ്റ്റ്" തന്ത്രം പിന്തുടരുന്നു, അതിൽ ആദ്യം ഒരു ക്ലീൻ റൂം നിർമ്മിക്കുകയും പിന്നീട് വിപണി ആവശ്യകത ഉയരുമ്പോൾ സൗകര്യം വഴക്കത്തോടെ പ്രവർത്തിപ്പിക്കുകയും ചെയ്യുന്നു.

"കൊറിയയിലും അമേരിക്കയിലുമായി ഞങ്ങൾ അഞ്ച് ഫാക്ടറികൾ പ്രവർത്തിപ്പിക്കുന്നുണ്ട്, കൂടാതെ 10-ലധികം ഫാക്ടറികൾ നിർമ്മിക്കുന്നതിനുള്ള സ്ഥലങ്ങൾ ഞങ്ങൾ നേടിയിട്ടുണ്ട്," സാംസങ് ഇലക്ട്രോണിക്സിന്റെ ഫൗണ്ടറി ബിസിനസ് യൂണിറ്റിന്റെ പ്രസിഡന്റ് ചോയ് സി-യങ് പറഞ്ഞു.

സാംസങ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് 2023 ൽ രണ്ടാം തലമുറ 3-നാനോമീറ്റർ പ്രോസസ്സ് ആരംഭിക്കാനും 2025 ൽ 2-നാനോമീറ്ററിന്റെ വൻതോതിലുള്ള ഉത്പാദനം ആരംഭിക്കാനും 2027 ൽ 1.4-നാനോമീറ്റർ പ്രോസസ്സ് ആരംഭിക്കാനും പദ്ധതിയിടുന്നതായി ഐടി ഹൗസ് അറിഞ്ഞു, ഒക്ടോബർ 3 ന് (പ്രാദേശിക സമയം) സാൻ ഫ്രാൻസിസ്കോയിൽ സാംസങ് ആദ്യമായി വെളിപ്പെടുത്തിയ ഒരു സാങ്കേതിക റോഡ്മാപ്പ്.