STH3N150-2 MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
♠ ഉൽപ്പന്ന വിവരണം
| ഉൽപ്പന്ന ആട്രിബ്യൂട്ട് | ആട്രിബ്യൂട്ട് മൂല്യം |
| നിർമ്മാതാവ്: | എസ്ടിമൈക്രോ ഇലക്ട്രോണിക്സ് |
| ഉൽപ്പന്ന വിഭാഗം: | മോസ്ഫെറ്റ് |
| RoHS: | വിശദാംശങ്ങൾ |
| സാങ്കേതികവിദ്യ: | Si |
| മൗണ്ടിംഗ് ശൈലി: | എസ്എംഡി/എസ്എംടി |
| പാക്കേജ്/കേസ്: | H2PAK-2 |
| ട്രാൻസിസ്റ്റർ പോളാരിറ്റി: | എൻ-ചാനൽ |
| ചാനലുകളുടെ എണ്ണം: | 1 ചാനൽ |
| Vds - ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ വോൾട്ടേജ്: | 1.5 കെ.വി |
| ഐഡി - തുടർച്ചയായ ഡ്രെയിൻ കറന്റ്: | 2.5 എ |
| Rds ഓൺ - ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് റെസിസ്റ്റൻസ്: | 9 ഓം |
| Vgs - ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ്: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് ത്രെഷോൾഡ് വോൾട്ടേജ്: | 3 വി |
| Qg - ഗേറ്റ് ചാർജ്: | 29.3 nC |
| കുറഞ്ഞ പ്രവർത്തന താപനില: | - 55 സി |
| പരമാവധി പ്രവർത്തന താപനില: | + 150 സി |
| Pd - പവർ ഡിസിപ്പേഷൻ: | 140 W |
| ചാനൽ മോഡ്: | മെച്ചപ്പെടുത്തൽ |
| വ്യാപാര നാമം: | പവർമെഷ് |
| പാക്കേജിംഗ്: | റീൽ |
| പാക്കേജിംഗ്: | ടേപ്പ് മുറിക്കുക |
| പാക്കേജിംഗ്: | മൗസ് റീൽ |
| ബ്രാൻഡ്: | എസ്ടിമൈക്രോ ഇലക്ട്രോണിക്സ് |
| കോൺഫിഗറേഷൻ: | സിംഗിൾ |
| വീഴ്ച സമയം: | 61 ns |
| ഫോർവേഡ് ട്രാൻസ്കണ്ടക്റ്റൻസ് - മിനിമം: | 2.6 എസ് |
| ഉൽപ്പന്ന തരം: | മോസ്ഫെറ്റ് |
| ഉദയ സമയം: | 47 ns |
| പരമ്പര: | STH3N150-2 |
| ഫാക്ടറി പായ്ക്ക് അളവ്: | 1000 |
| ഉപവിഭാഗം: | MOSFET-കൾ |
| ട്രാൻസിസ്റ്റർ തരം: | 1 N-ചാനൽ പവർ MOSFET |
| സാധാരണ ടേൺ-ഓഫ് കാലതാമസം: | 45 ns |
| സാധാരണ ടേൺ-ഓൺ കാലതാമസം: | 24 ns |
| യൂണിറ്റ് ഭാരം: | 4 ഗ്രാം |
♠ N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 Ω ടൈപ്പ്., TO-3PF, H2PAK-2, TO-220, TO247 പാക്കേജുകളിലെ PowerMESH പവർ മോസ്ഫെറ്റുകൾ
STMicroelectronics കൺസോളിഡേറ്റഡ് സ്ട്രിപ്പ്-ലേഔട്ട് അടിസ്ഥാനമാക്കിയുള്ള MESH OVERLAY പ്രക്രിയ ഉപയോഗിച്ചാണ് ഈ Power MOSFET-കൾ രൂപകൽപ്പന ചെയ്തിരിക്കുന്നത്.മറ്റ് നിർമ്മാതാക്കളിൽ നിന്നുള്ള താരതമ്യപ്പെടുത്താവുന്ന സ്റ്റാൻഡേർഡ് ഭാഗങ്ങളുടെ പ്രകടനവുമായി പൊരുത്തപ്പെടുന്നതോ മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതോ ആയ ഒരു ഉൽപ്പന്നമാണ് ഫലം.
• 100% ഹിമപാതം പരീക്ഷിച്ചു
• ഇൻട്രിൻസിക് കപ്പാസിറ്റൻസുകളും ക്യുജിയും ചെറുതാക്കി
• ഹൈ സ്പീഡ് സ്വിച്ചിംഗ്
• പൂർണ്ണമായും ഒറ്റപ്പെട്ട TO-3PF പ്ലാസ്റ്റിക് പാക്കേജ്, ക്രീപേജ് ദൂരം പാത 5.4 mm ആണ് (ടൈപ്പ്.)
• ആപ്ലിക്കേഷനുകൾ സ്വിച്ചുചെയ്യുന്നു
