VNS3NV04DPTR-E ഗേറ്റ് ഡ്രൈവറുകൾ OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ ഉൽപ്പന്ന വിവരണം
| ഉൽപ്പന്ന ആട്രിബ്യൂട്ട് | ആട്രിബ്യൂട്ട് മൂല്യം |
| നിർമ്മാതാവ്: | എസ്.ടി.മൈക്രോഇലക്ട്രോണിക്സ് |
| ഉൽപ്പന്ന വിഭാഗം: | ഗേറ്റ് ഡ്രൈവറുകൾ |
| റോഎച്ച്എസ്: | വിശദാംശങ്ങൾ |
| ഉൽപ്പന്നം: | MOSFET ഗേറ്റ് ഡ്രൈവറുകൾ |
| തരം: | ലോ-സൈഡ് |
| മൗണ്ടിംഗ് ശൈലി: | എസ്എംഡി/എസ്എംടി |
| പാക്കേജ് / കേസ്: | എസ്.ഒ.ഐ.സി-8 |
| ഡ്രൈവർമാരുടെ എണ്ണം: | 2 ഡ്രൈവർ |
| ഔട്ട്പുട്ടുകളുടെ എണ്ണം: | 2 ഔട്ട്പുട്ട് |
| ഔട്ട്പുട്ട് കറന്റ്: | 5 എ |
| വിതരണ വോൾട്ടേജ് - പരമാവധി: | 24 വി |
| ഉദയ സമയം: | 250 എൻഎസ് |
| ശരത്കാല സമയം: | 250 എൻഎസ് |
| കുറഞ്ഞ പ്രവർത്തന താപനില: | - 40 സി |
| പരമാവധി പ്രവർത്തന താപനില: | + 150 സി |
| പരമ്പര: | VNS3NV04DP-E പരിചയപ്പെടുത്തുന്നു |
| യോഗ്യത: | എഇസി-ക്യു100 |
| പാക്കേജിംഗ്: | റീൽ |
| പാക്കേജിംഗ്: | ടേപ്പ് മുറിക്കുക |
| പാക്കേജിംഗ്: | മൗസ്റീൽ |
| ബ്രാൻഡ്: | എസ്.ടി.മൈക്രോഇലക്ട്രോണിക്സ് |
| ഈർപ്പം സെൻസിറ്റീവ്: | അതെ |
| പ്രവർത്തന സപ്ലൈ കറന്റ്: | 100 യുഎ |
| ഉൽപ്പന്ന തരം: | ഗേറ്റ് ഡ്രൈവറുകൾ |
| ഫാക്ടറി പായ്ക്ക് അളവ്: | 2500 രൂപ |
| ഉപവിഭാഗം: | PMIC - പവർ മാനേജ്മെന്റ് ഐസികൾ |
| സാങ്കേതികവിദ്യ: | Si |
| യൂണിറ്റ് ഭാരം: | 0.005291 ഔൺസ് |
♠ OMNIFET II പൂർണ്ണമായും ഓട്ടോപ്രൊട്ടക്റ്റഡ് പവർ MOSFET
VNS3NV04DP-E ഉപകരണം ഒരു സ്റ്റാൻഡേർഡ് SO-8 പാക്കേജിൽ സ്ഥാപിച്ചിരിക്കുന്ന രണ്ട് മോണോലിത്തിക് ചിപ്പുകൾ (OMNIFET II) കൊണ്ടാണ് നിർമ്മിച്ചിരിക്കുന്നത്. STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 സാങ്കേതികവിദ്യ ഉപയോഗിച്ചാണ് OMNIFET II രൂപകൽപ്പന ചെയ്തിരിക്കുന്നത്, കൂടാതെ 50 kHz വരെയുള്ള DC ആപ്ലിക്കേഷനുകളിൽ സ്റ്റാൻഡേർഡ് പവർ MOSFET-കൾ മാറ്റിസ്ഥാപിക്കുന്നതിനായാണ് ഇത് ഉദ്ദേശിക്കുന്നത്.
ബിൽറ്റ്-ഇൻ തെർമൽ ഷട്ട്ഡൗൺ, ലീനിയർ കറന്റ് ലിമിറ്റേഷൻ, ഓവർ വോൾട്ടേജ് ക്ലാമ്പ് എന്നിവ കഠിനമായ സാഹചര്യങ്ങളിൽ ചിപ്പിനെ സംരക്ഷിക്കുന്നു.
ഇൻപുട്ട് പിന്നിലെ വോൾട്ടേജ് നിരീക്ഷിച്ചുകൊണ്ട് തകരാറ് ഫീഡ്‌ബാക്ക് കണ്ടെത്താനാകും.
■ ECOPACK®: ലെഡ് രഹിതവും RoHS അനുസൃതവും
■ ഓട്ടോമോട്ടീവ് ഗ്രേഡ്: AEC മാർഗ്ഗനിർദ്ദേശങ്ങൾ പാലിക്കൽ
■ ലീനിയർ കറന്റ് പരിധി
■ താപ ഷട്ട്ഡൗൺ
■ ഷോർട്ട് സർക്യൂട്ട് സംരക്ഷണം
■ സംയോജിത ക്ലാമ്പ്
■ ഇൻപുട്ട് പിന്നിൽ നിന്ന് എടുക്കുന്ന കുറഞ്ഞ കറന്റ്
■ ഇൻപുട്ട് പിൻ വഴി ഡയഗ്നോസ്റ്റിക് ഫീഡ്‌ബാക്ക്
■ ESD സംരക്ഷണം
■ പവർ MOSFET യുടെ ഗേറ്റിലേക്ക് നേരിട്ട് പ്രവേശനം (അനലോഗ് ഡ്രൈവിംഗ്)
■ സ്റ്റാൻഡേർഡ് പവർ MOSFET-യുമായി പൊരുത്തപ്പെടുന്നു
