FDN335N MOSFET SSOT-3 N-CH 20V
♠ ഉൽപ്പന്ന വിവരണം
| ആട്രിബ്യൂട്ടോ ഡെൽ പ്രൊഡക്റ്റോ | വാലർ ഡി ആട്രിബ്യൂട്ടോ |
| ഫാബ്രിക്കന്റ്: | ഒൺസെമി |
| ഉൽപ്പന്നത്തിന്റെ വർഗ്ഗം: | മോസ്ഫെറ്റ് |
| RoHS: | വിശദാംശങ്ങൾ |
| സാങ്കേതികത: | Si |
| എസ്റ്റിലോ ഡി മൊണ്ടാജെ: | എസ്എംഡി/എസ്എംടി |
| Paquete / Cubierta: | SSOT-3 |
| പൊളാരിഡാഡ് ഡെൽ ട്രാൻസിസ്റ്റർ: | എൻ-ചാനൽ |
| ന്യൂമെറോ ഡി കനാലുകൾ: | 1 ചാനൽ |
| വിഡിഎസ് - പിരിമുറുക്കം തടസ്സപ്പെടുത്തുന്നു: | 20 വി |
| ഐഡി - Corriente de drenaje continuea: | 1.7 എ |
| Rds ഓൺ - റെസിസ്റ്റൻസിയ എൻട്രെ ഡ്രെനാജെ വൈ ഫ്യൂൻറ്റെ: | 55 mOhms |
| വിജിഎസ് - ടെൻഷൻ എൻട്രി പ്യൂർട്ട വൈ ഫ്യൂണ്ടെ: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - ടെൻഷൻ അംബ്രൽ എൻട്രെ പ്യൂർട്ട വൈ ഫ്യൂണ്ടെ: | 400 എം.വി |
| Qg - Carga de Puerta: | 5 എൻസി |
| താപനില: | - 55 സി |
| താപനില: ട്രാബാജോ മാക്സിമ: | + 150 സി |
| ഡിപി - ഡിസിപേഷ്യൻ ഡി പൊട്ടൻസിയ: | 500 മെഗാവാട്ട് |
| മോഡോ കനാൽ: | മെച്ചപ്പെടുത്തൽ |
| നോംബ്രെ കൊമേഴ്സ്യൽ: | പവർട്രെഞ്ച് |
| എംപാക്വെറ്റാഡോ: | റീൽ |
| എംപാക്വെറ്റാഡോ: | ടേപ്പ് മുറിക്കുക |
| എംപാക്വെറ്റാഡോ: | മൗസ് റീൽ |
| മാർക്ക: | onsemi / ഫെയർചൈൽഡ് |
| കോൺഫിഗറേഷൻ: | സിംഗിൾ |
| Tiempo de caida: | 8.5 ns |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 7 എസ് |
| അൽതുറ: | 1.12 മി.മീ |
| രേഖാംശം: | 2.9 മി.മീ |
| ഉൽപ്പന്നം: | MOSFET ചെറിയ സിഗ്നൽ |
| ഉൽപ്പന്നത്തിന്റെ നിർദ്ദേശം: | മോസ്ഫെറ്റ് |
| ടിംപോ ഡി സുബിദ: | 8.5 ns |
| പരമ്പര: | FDN335N |
| Cantidad de empaque de Fábrica: | 3000 |
| ഉപവിഭാഗം: | MOSFET-കൾ |
| ടിപ്പോ ഡി ട്രാൻസിസ്റ്റർ: | 1 എൻ-ചാനൽ |
| ടിപ്പോ: | മോസ്ഫെറ്റ് |
| Tiempo de retardo de apagado tipico: | 11 ns |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 5 ns |
| ആങ്കോ: | 1.4 മി.മീ |
| ഏലിയാസ് ഡി ലാസ് പീസാസ് n.º: | FDN335N_NL |
| പെസോ ഡി ലാ യുനിഡാഡ്: | 0.001058 oz |
♠ N-Channel 2.5V വ്യക്തമാക്കിയ PowerTrenchTM MOSFET
ഈ N-Channel 2.5V നിർദ്ദിഷ്ട MOSFET നിർമ്മിക്കുന്നത് ON സെമികണ്ടക്ടറിന്റെ നൂതന പവർട്രെഞ്ച് പ്രക്രിയ ഉപയോഗിച്ചാണ്, അത് ഓൺ-സ്റ്റേറ്റ് പ്രതിരോധം കുറയ്ക്കുന്നതിനും മികച്ച സ്വിച്ചിംഗ് പ്രകടനത്തിനായി കുറഞ്ഞ ഗേറ്റ് ചാർജ് നിലനിർത്തുന്നതിനും പ്രത്യേകം രൂപകൽപ്പന ചെയ്തിട്ടുണ്ട്.
• 1.7 A, 20 V. RDS(ON) = 0.07 Ω @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 2.5 V.
• കുറഞ്ഞ ഗേറ്റ് ചാർജ് (3.5nC സാധാരണ).
• വളരെ കുറഞ്ഞ RDS(ON) എന്നതിനായുള്ള ഉയർന്ന പ്രകടനമുള്ള ട്രെഞ്ച് സാങ്കേതികവിദ്യ.
• ഉയർന്ന ശക്തിയും നിലവിലെ കൈകാര്യം ചെയ്യാനുള്ള കഴിവും.
• DC/DC കൺവെർട്ടർ
• ലോഡ് സ്വിച്ച്
