FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V
♠ ഉൽപ്പന്ന വിവരണം
| ആട്രിബ്യൂട്ടോ ഡെൽ പ്രൊഡക്റ്റോ | വാലർ ഡി ആട്രിബ്യൂട്ടോ |
| ഫാബ്രിക്കന്റ്: | ഒൺസെമി |
| ഉൽപ്പന്നത്തിന്റെ വർഗ്ഗം: | മോസ്ഫെറ്റ് |
| RoHS: | വിശദാംശങ്ങൾ |
| സാങ്കേതികത: | Si |
| എസ്റ്റിലോ ഡി മൊണ്ടാജെ: | എസ്എംഡി/എസ്എംടി |
| Paquete / Cubierta: | SSOT-3 |
| പൊളാരിഡാഡ് ഡെൽ ട്രാൻസിസ്റ്റർ: | എൻ-ചാനൽ |
| ന്യൂമെറോ ഡി കനാലുകൾ: | 1 ചാനൽ |
| വിഡിഎസ് - പിരിമുറുക്കം തടസ്സപ്പെടുത്തുന്നു: | 30 വി |
| ഐഡി - Corriente de drenaje continuea: | 2.2 എ |
| Rds ഓൺ - റെസിസ്റ്റൻസിയ എൻട്രെ ഡ്രെനാജെ വൈ ഫ്യൂൻറ്റെ: | 65 mOhms |
| വിജിഎസ് - ടെൻഷൻ എൻട്രി പ്യൂർട്ട വൈ ഫ്യൂണ്ടെ: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - ടെൻഷൻ അംബ്രൽ എൻട്രെ പ്യൂർട്ട വൈ ഫ്യൂണ്ടെ: | 400 എം.വി |
| Qg - Carga de Puerta: | 9 nC |
| താപനില: | - 55 സി |
| താപനില: ട്രാബാജോ മാക്സിമ: | + 150 സി |
| ഡിപി - ഡിസിപേഷ്യൻ ഡി പൊട്ടൻസിയ: | 500 മെഗാവാട്ട് |
| മോഡോ കനാൽ: | മെച്ചപ്പെടുത്തൽ |
| എംപാക്വെറ്റാഡോ: | റീൽ |
| എംപാക്വെറ്റാഡോ: | ടേപ്പ് മുറിക്കുക |
| എംപാക്വെറ്റാഡോ: | മൗസ് റീൽ |
| മാർക്ക: | onsemi / ഫെയർചൈൽഡ് |
| കോൺഫിഗറേഷൻ: | സിംഗിൾ |
| Tiempo de caida: | 10 ns |
| Transconductancia hacia delante - Mín.: | 13 എസ് |
| അൽതുറ: | 1.12 മി.മീ |
| രേഖാംശം: | 2.9 മി.മീ |
| ഉൽപ്പന്നം: | MOSFET ചെറിയ സിഗ്നൽ |
| ഉൽപ്പന്നത്തിന്റെ നിർദ്ദേശം: | മോസ്ഫെറ്റ് |
| ടിംപോ ഡി സുബിദ: | 10 ns |
| പരമ്പര: | FDN337N |
| Cantidad de empaque de Fábrica: | 3000 |
| ഉപവിഭാഗം: | MOSFET-കൾ |
| ടിപ്പോ ഡി ട്രാൻസിസ്റ്റർ: | 1 എൻ-ചാനൽ |
| ടിപ്പോ: | FET |
| Tiempo de retardo de apagado tipico: | 17 ns |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 4 ns |
| ആങ്കോ: | 1.4 മി.മീ |
| ഏലിയാസ് ഡി ലാസ് പീസാസ് n.º: | FDN337N_NL |
| പെസോ ഡി ലാ യുനിഡാഡ്: | 0.001270 oz |
♠ ട്രാൻസിസ്റ്റർ - എൻ-ചാനൽ, ലോജിക് ലെവൽ, എൻഹാൻസ്‌മെന്റ് മോഡ് ഫീൽഡ് ഇഫക്റ്റ്
സൂപ്പർസോട്ട്−3 N−ചാനൽ ലോജിക് ലെവൽ എൻഹാൻസ്‌മെന്റ് മോഡ് പവർ ഫീൽഡ് ഇഫക്റ്റ് ട്രാൻസിസ്റ്ററുകൾ ഓൺസെമിയുടെ പ്രൊപ്രൈറ്ററി, ഹൈ സെൽ ഡെൻസിറ്റി, ഡിഎംഒഎസ് സാങ്കേതികവിദ്യ ഉപയോഗിച്ചാണ് നിർമ്മിക്കുന്നത്.വളരെ ഉയർന്ന സാന്ദ്രതയുള്ള ഈ പ്രക്രിയ, സംസ്ഥാന പ്രതിരോധം കുറയ്ക്കുന്നതിന് പ്രത്യേകം രൂപകൽപ്പന ചെയ്തിട്ടുള്ളതാണ്.നോട്ട്ബുക്ക് കമ്പ്യൂട്ടറുകൾ, പോർട്ടബിൾ ഫോണുകൾ, പിസിഎംസിഐഎ കാർഡുകൾ, ബാറ്ററിയിൽ പ്രവർത്തിക്കുന്ന മറ്റ് സർക്യൂട്ടുകൾ എന്നിവയിലെ ലോ വോൾട്ടേജ് ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്ക് ഈ ഉപകരണങ്ങൾ വളരെ അനുയോജ്യമാണ്, അവിടെ വളരെ ചെറിയ ഔട്ട്‌ലൈൻ ഉപരിതല മൌണ്ട് പാക്കേജിൽ അതിവേഗ സ്വിച്ചിംഗും കുറഞ്ഞ ഇൻ-ലൈൻ പവർ നഷ്ടവും ആവശ്യമാണ്.
• 2.2 എ, 30 വി
♦ RDS(on) = 0.065 @ VGS = 4.5 V
♦ RDS(on) = 0.082 @ VGS = 2.5 V
• ഇൻഡസ്ട്രി സ്റ്റാൻഡേർഡ് ഔട്ട്‌ലൈൻ SOT−23 ഉപരിതല മൌണ്ട് പാക്കേജ് ഉപയോഗിച്ച് പ്രൊപ്രൈറ്ററി സൂപ്പർസോട്ട്−3 മികച്ച തെർമൽ, ഇലക്ട്രിക്കൽ ശേഷികൾക്കുള്ള ഡിസൈൻ
• വളരെ കുറഞ്ഞ RDS(ഓൺ)-നായി ഉയർന്ന സാന്ദ്രതയുള്ള സെൽ ഡിസൈൻ
• അസാധാരണമായ ഓൺ-റെസിസ്റ്റൻസും പരമാവധി DC നിലവിലെ ശേഷിയും
• ഈ ഉപകരണം Pb−സ്വതന്ത്രവും ഹാലൊജൻ രഹിതവുമാണ്
