NTJD5121NT1G MOSFET NFET SC88D 60V 295mA
♠ ഉൽപ്പന്ന വിവരണം
| ആട്രിബ്യൂട്ടോ ഡെൽ പ്രൊഡക്റ്റോ | വാലർ ഡി ആട്രിബ്യൂട്ടോ |
| ഫാബ്രിക്കന്റ്: | ഒൺസെമി |
| ഉൽപ്പന്നത്തിന്റെ വർഗ്ഗം: | മോസ്ഫെറ്റ് |
| RoHS: | വിശദാംശങ്ങൾ |
| സാങ്കേതികത: | Si |
| എസ്റ്റിലോ ഡി മൊണ്ടാജെ: | എസ്എംഡി/എസ്എംടി |
| Paquete / Cubierta: | SC-88-6 |
| പൊളാരിഡാഡ് ഡെൽ ട്രാൻസിസ്റ്റർ: | എൻ-ചാനൽ |
| ന്യൂമെറോ ഡി കനാലുകൾ: | 2 ചാനൽ |
| വിഡിഎസ് - പിരിമുറുക്കം തടസ്സപ്പെടുത്തുന്നു: | 60 വി |
| ഐഡി - Corriente de drenaje continuea: | 295 എം.എ |
| Rds ഓൺ - റെസിസ്റ്റൻസിയ എൻട്രെ ഡ്രെനാജെ വൈ ഫ്യൂൻറ്റെ: | 1.6 ഓം |
| വിജിഎസ് - ടെൻഷൻ എൻട്രി പ്യൂർട്ട വൈ ഫ്യൂണ്ടെ: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - ടെൻഷൻ അംബ്രൽ എൻട്രെ പ്യൂർട്ട വൈ ഫ്യൂണ്ടെ: | 1 വി |
| Qg - Carga de Puerta: | 900 പിസി |
| താപനില: | - 55 സി |
| താപനില: ട്രാബാജോ മാക്സിമ: | + 150 സി |
| ഡിപി - ഡിസിപേഷ്യൻ ഡി പൊട്ടൻസിയ: | 250 മെഗാവാട്ട് |
| മോഡോ കനാൽ: | മെച്ചപ്പെടുത്തൽ |
| എംപാക്വെറ്റാഡോ: | റീൽ |
| എംപാക്വെറ്റാഡോ: | ടേപ്പ് മുറിക്കുക |
| എംപാക്വെറ്റാഡോ: | മൗസ് റീൽ |
| മാർക്ക: | ഒൺസെമി |
| കോൺഫിഗറേഷൻ: | ഇരട്ട |
| Tiempo de caida: | 32 ns |
| അൽതുറ: | 0.9 മി.മീ |
| രേഖാംശം: | 2 മി.മീ |
| ഉൽപ്പന്നത്തിന്റെ നിർദ്ദേശം: | മോസ്ഫെറ്റ് |
| ടിംപോ ഡി സുബിദ: | 34 ns |
| പരമ്പര: | NTJD5121N |
| Cantidad de empaque de Fábrica: | 3000 |
| ഉപവിഭാഗം: | MOSFET-കൾ |
| ടിപ്പോ ഡി ട്രാൻസിസ്റ്റർ: | 2 എൻ-ചാനൽ |
| Tiempo de retardo de apagado tipico: | 34 ns |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 22 ns |
| ആങ്കോ: | 1.25 മി.മീ |
| പെസോ ഡി ലാ യുനിഡാഡ്: | 0.000212 oz |
• കുറഞ്ഞ RDS(ഓൺ)
• ലോ ഗേറ്റ് ത്രെഷോൾഡ്
• കുറഞ്ഞ ഇൻപുട്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ്
• ESD സംരക്ഷിത ഗേറ്റ്
• അദ്വിതീയ സൈറ്റും നിയന്ത്രണ മാറ്റ ആവശ്യകതകളും ആവശ്യമായ ഓട്ടോമോട്ടീവിനും മറ്റ് ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്കുമുള്ള എൻവിജെഡി പ്രിഫിക്സ്;AEC−Q101 യോഗ്യതയും PPAP കഴിവും
• ഇതൊരു Pb−Free Device ആണ്
•ലോ സൈഡ് ലോഡ് സ്വിച്ച്
• DC−DC കൺവെർട്ടറുകൾ (ബക്ക് ആൻഡ് ബൂസ്റ്റ് സർക്യൂട്ടുകൾ)
