SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P പെയർ
♠ ഉൽപ്പന്ന വിവരണം
| ഉൽപ്പന്ന ആട്രിബ്യൂട്ട് | ആട്രിബ്യൂട്ട് മൂല്യം |
| നിർമ്മാതാവ്: | വിഷയ് |
| ഉൽപ്പന്ന വിഭാഗം: | മോസ്ഫെറ്റ് |
| RoHS: | വിശദാംശങ്ങൾ |
| സാങ്കേതികവിദ്യ: | Si |
| മൗണ്ടിംഗ് ശൈലി: | എസ്എംഡി/എസ്എംടി |
| പാക്കേജ്/കേസ്: | SC-89-6 |
| ട്രാൻസിസ്റ്റർ പോളാരിറ്റി: | എൻ-ചാനൽ, പി-ചാനൽ |
| ചാനലുകളുടെ എണ്ണം: | 2 ചാനൽ |
| Vds - ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് ബ്രേക്ക്ഡൗൺ വോൾട്ടേജ്: | 60 വി |
| ഐഡി - തുടർച്ചയായ ഡ്രെയിൻ കറന്റ്: | 500 എം.എ |
| Rds ഓൺ - ഡ്രെയിൻ-സോഴ്സ് റെസിസ്റ്റൻസ്: | 1.4 ഓംസ്, 4 ഓംസ് |
| Vgs - ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് വോൾട്ടേജ്: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് ത്രെഷോൾഡ് വോൾട്ടേജ്: | 1 വി |
| Qg - ഗേറ്റ് ചാർജ്: | 750 pC, 1.7 nC |
| കുറഞ്ഞ പ്രവർത്തന താപനില: | - 55 സി |
| പരമാവധി പ്രവർത്തന താപനില: | + 150 സി |
| Pd - പവർ ഡിസിപ്പേഷൻ: | 280 മെഗാവാട്ട് |
| ചാനൽ മോഡ്: | മെച്ചപ്പെടുത്തൽ |
| വ്യാപാര നാമം: | ട്രെഞ്ച്ഫെറ്റ് |
| പാക്കേജിംഗ്: | റീൽ |
| പാക്കേജിംഗ്: | ടേപ്പ് മുറിക്കുക |
| പാക്കേജിംഗ്: | മൗസ് റീൽ |
| ബ്രാൻഡ്: | വിഷയ് അർദ്ധചാലകങ്ങൾ |
| കോൺഫിഗറേഷൻ: | ഇരട്ട |
| ഫോർവേഡ് ട്രാൻസ്കണ്ടക്റ്റൻസ് - മിനിമം: | 200 mS, 100 mS |
| ഉയരം: | 0.6 മി.മീ |
| നീളം: | 1.66 മി.മീ |
| ഉൽപ്പന്ന തരം: | മോസ്ഫെറ്റ് |
| പരമ്പര: | SI1 |
| ഫാക്ടറി പായ്ക്ക് അളവ്: | 3000 |
| ഉപവിഭാഗം: | MOSFET-കൾ |
| ട്രാൻസിസ്റ്റർ തരം: | 1 എൻ-ചാനൽ, 1 പി-ചാനൽ |
| സാധാരണ ടേൺ-ഓഫ് കാലതാമസം: | 20 ns, 35 ns |
| സാധാരണ ടേൺ-ഓൺ കാലതാമസം: | 15 ns, 20 ns |
| വീതി: | 1.2 മി.മീ |
| ഭാഗം # അപരനാമങ്ങൾ: | SI1029X-GE3 |
| യൂണിറ്റ് ഭാരം: | 32 മില്ലിഗ്രാം |
• IEC 61249-2-21 നിർവ്വചനം അനുസരിച്ച് ഹാലൊജൻ രഹിതം
• TrenchFET® Power MOSFET-കൾ
• വളരെ ചെറിയ കാൽപ്പാട്
• ഹൈ-സൈഡ് സ്വിച്ചിംഗ്
• കുറഞ്ഞ പ്രതിരോധം:
N-ചാനൽ, 1.40 Ω
പി-ചാനൽ, 4 Ω
• കുറഞ്ഞ പരിധി: ± 2 V (ടൈപ്പ്.)
• ഫാസ്റ്റ് സ്വിച്ചിംഗ് സ്പീഡ്: 15 ns (ടൈപ്പ്.)
• ഗേറ്റ്-സോഴ്സ് ESD പരിരക്ഷിതം: 2000 V
• RoHS നിർദ്ദേശം 2002/95/EC അനുസരിച്ച്
• ഡിജിറ്റൽ ട്രാൻസിസ്റ്റർ, ലെവൽ-ഷിഫ്റ്റർ മാറ്റിസ്ഥാപിക്കുക
• ബാറ്ററി ഓപ്പറേറ്റഡ് സിസ്റ്റങ്ങൾ
• പവർ സപ്ലൈ കൺവെർട്ടർ സർക്യൂട്ടുകൾ
